深圳市三佛科技有限公司 供应90N02 20V90AMOS，原装，库存现货热销

SLD90N02T 描述：功率MOSFET采用Maple semi先进的平面带状技术生产。这项先进的技术已特别定制，以尽量减少传导损耗，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和换相模式.

特点：N通道：20V 90A RDS（开）典型值=2.8mΩ@VGS=4.5V RDS（开）典型值=4mΩ@VGS=2..5V-极低导通电阻RDS（开）-低CRSS-快速切换-雪崩测试-提高dv/dt能力。

应用：PWM应用,负载开关,电源管理。

90N02 参数： 20V 90A TO-252 N沟道 MOS场效应管

型号：90N02

VDS：20V

IDS： 90A

封装：TO-252

沟道：N沟道

90N02原装，90N02库存现货热销

售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。

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HN2300 20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS 可替代下列型号:

HN2300可以替代AO3414，AO3416，AO3420，AO3438，AO3494，CJ2300，AO2300，AP2301GN

HN2301 -20V -3A SOT-23 P沟道 MOS 可替代下列型号:

HN2301可以替代：CJ2301，AO2301，AP2301GN，PL2301，NCE2301E，AP2301EN，si2301，NCE2301C，AP2301BGN-HF，NCE2301E

HN3415 -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS 可替代下列型号:

HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415